188-0259-9203（微信同號）
841426141@qq.com
直流磁控濺射和中頻磁控濺射是常見的濺射鍍膜工藝，但這兩種常見的濺射（shè）工藝（yì）有什麽區別
1. 直流磁控濺射（shè）
濺射與氣壓的關係（xì）——要在一定範（fàn）圍內提（tí）高電離率(在盡可能低的壓力下保持較（jiào）高的電離（lí）率)，要提高均勻性（xìng），就（jiù）要在（zài）保證膜的純度的同時增加壓力，而要提高膜的附著（zhe）力，就（jiù）要降低壓力，形（xíng）成一個平衡輝光放電直流濺射係統
特點（diǎn）:提供一個額外的電子源，而不是從目標陰極（jí）獲得（dé）電子。實現低（dī）壓濺射(壓力小（xiǎo）於0.1 Pa)
缺點:在大平麵材料中難以均（jun1）勻濺射，且放電過程難以控製，導致工藝重（chóng）複性差
2. 中頻磁控濺射
中頻交流磁控濺射可用於單陰極靶係統（tǒng），工業上一般采用雙靶（bǎ）濺射係統（tǒng）;靶材利用率（lǜ）較高可達70%以上，使用壽命更長，濺射速度（dù）更快，消除靶材中毒現象
您（nín）的位置：
