武漢MSDP單極脈衝磁控濺射電源

主要型號：

主要特點：
   A 明顯改善靶麵電荷積累現象，減小濺射表麵的打火次數，提高膜層質量。
   B 具有（yǒu）平均電源穩定功能，具（jù）有理想的電壓（yā）陡降特（tè）性，
充分滿足磁控濺射工（gōng）藝過程的連續性。
   C 空載電壓≥1000V，工作電壓（yā）200~800V。
   D 頻率40kHz，占空比20%~80%。
   E 可選擇手動控製/模擬量接口控製，可選（xuǎn）配RS485通訊接口。
采用先（xiān）進的PWM脈寬調製技術，使用進口IGBT或（huò）MOSFET作為功率開關器件，
體積小、重量（liàng）輕、功能全、性能（néng）穩（wěn）定可靠，生產工藝嚴格完善。
該係列產品采用先進的DSP控製係統，充分保證鍍膜工藝的重複性（xìng），
並且具有抑製靶材弧（hú）光放電（diàn）及抗短路（lù）功（gōng）能，
具有極佳的負載匹配能力，既保證了靶麵清洗工藝的穩（wěn）定性，又提高了靶麵清洗速度；
主要參數均可大範圍連續調（diào）節（jiē）；
方（fāng）便維護，可靠性高；
PLC接口和RS485接口擴展功能，方（fāng）便實（shí）現自動化（huà）控製。

主要用途：

單極（jí）脈衝磁控濺射適用於金屬、合金及石墨等靶（bǎ）材鍍製金屬膜、碳膜和部分（fèn）氧化物、氮化物及碳化物膜。

鏡片在接受鍍膜前必須進行預清洗，這種清洗要求很高，達到分子級。在清洗槽中分別放置各種清洗液，並采用超（chāo）聲波加強（qiáng）清洗效果，當鏡片清（qīng）洗（xǐ）完後，放進真空艙內，在此過程中要（yào）特別注意避免空氣中的灰塵和垃圾再黏附在鏡片表麵。最後的清洗是在真空艙內，在此過程中要特（tè）別注意避免空氣中的（de）灰塵和垃圾再黏附在鏡片表麵。最後的清洗是在真空艙內（nèi）鍍前進行的，放置在真（zhēn）空艙內的離子槍（qiāng）將轟（hōng）擊鏡片的（de）表麵（例如用氬離子），完成此道清洗工序後即進行減反射膜的鍍膜。

真空鍍膜電（diàn）源為什麽在（zài）現在會應用那麽多呢，有哪些明顯的效果？

概念的區別：

1、真空鍍膜是指在高真空的（de）條件下（xià）加熱金屬或非金（jīn）屬材料，使其蒸發（fā）並凝結於鍍件（金屬、半導體或絕緣體）表麵而形成薄膜（mó）的一種方法。例如，真空鍍（dù）鋁、真空鍍鉻等。

2、光學鍍膜是指在光學零件表麵上鍍上一層(或多層)金屬(或（huò）介質)薄膜的工藝過程。在光（guāng）學零件表麵鍍膜的目的是為了達到減少或增加光的反射、分束、分色、濾（lǜ）光、偏振等要（yào）求。常用的鍍（dù）膜法有真空鍍膜(物理鍍膜的一種（zhǒng）)和（hé）化（huà）學鍍膜。