浙江MSB中頻磁控濺射真空鍍膜（mó）電源

主要型號：

主要特點：

   A 采用先進的電（diàn）流型開關電源技術，減小輸出儲能元件，
同時提高了抑製打火及重啟速度，應（yīng）用在鋁靶鍍（dù）膜優勢更為明顯。
   B 具備恒流（liú）/恒功率模（mó）式可選。恒（héng）功率模式相對於傳統的恒流模式，
更能保證鍍膜工藝的重複性。
   C 具有理想的電壓陡降特性，自動（dòng）識別偽打火現象，
充分滿足磁控濺射工藝過程的（de）連續性。
   D 主要參數可大範圍調節
   E 可選擇手動控製/模擬量接口控製（zhì），可選配RS485通訊（xùn）接口（kǒu）。
采用（yòng）先進的PWM脈寬（kuān）調（diào）製技術，使用進（jìn）口IGBT或MOSFET作為功率開關器件，
體（tǐ）積小、重量輕、功能全（quán）、性能穩定（dìng）可靠（kào），生產工藝嚴格完善。
該係列產品采用先進的DSP控製係統，充分保證鍍膜工（gōng）藝的重（chóng）複（fù）性，
並且具有（yǒu）抑製靶（bǎ）材弧光放電及抗短路功（gōng）能，
具有極佳的負載匹配能力，既保證了靶麵清洗工藝的穩定（dìng）性，又提（tí）高（gāo）了（le）靶麵清洗（xǐ）速度（dù）；
主要參數均（jun1）可大（dà）範圍連續調節（jiē）；
方便維護，可靠性高；
PLC接口和RS485接口擴展功能，方（fāng）便實現自動化控（kòng）製。

MSB係列雙極脈衝磁控濺射電源（中頻電源）

主要用途：

雙極脈衝磁控濺射電源用於（yú）中頻孿（luán）生靶磁控濺金屬或非（fēi）金屬材料，特別適合於反應磁控濺射。能增加離化率，減少電荷積累（lèi）引起的異（yì）常放電，預防靶表麵中毒現象。

在真空鍍膜電源時，使（shǐ）用直流負偏壓電源，其中運用直（zhí）流電源，這個電源的電子（zǐ）方向一直統一，會導致單一品種電荷堆積過高與控製源中和。也（yě）就是說用來提（tí）供動力（lì）的正負極被中和了。然後磁控濺射將不再持續。所（suǒ）以（yǐ）選用脈衝電源。

在（zài）真空中製備膜層，包含鍍製（zhì）晶態的金屬、半（bàn）導體、絕緣體等單質或化合物膜。雖然化學汽相堆積也選用減壓（yā）、低壓或等離子體等真空手法，但一般真空鍍（dù）膜是指（zhǐ）用物（wù）理的辦法堆積薄膜。真（zhēn）空鍍膜有三種方式，即蒸發鍍膜、濺射鍍膜和離子鍍。

真（zhēn）空鍍（dù）膜（mó）技能初現於20世紀30年代（dài），四五十年（nián）代開端呈現工業（yè）使用，工業化大規模出產開端於20世紀80年代，在電（diàn）子、宇（yǔ）航（háng）、包（bāo）裝、裝潢、燙金印（yìn）刷（shuā）等工業中獲得廣泛的使用。真空鍍膜是指（zhǐ）在真空環境下，將某種金屬或金屬化合物以氣相的方（fāng）式堆（duī）積到資料外表（通常（cháng）是非金屬資料），歸（guī）於物理氣相堆（duī）積工藝。由於鍍層常為金屬薄（báo）膜，故（gù）也稱（chēng）真（zhēn）空金屬化。廣義的真空鍍膜還包含在金屬或非金屬資料外表真空蒸鍍聚合（hé）物等非金屬功用性薄（báo）膜。在所有被鍍資猜中，以塑料樶為（wéi）常見，其次，為紙張（zhāng）鍍膜。相對（duì）於金屬、陶瓷、木材等資料，塑料具有（yǒu）來曆充足、性（xìng）能易於調控、加工方便等優勢，因此品種繁多的塑料或其他高分子資料作為工程裝修性結（jié）構資料，大量使用（yòng）於轎車（chē）、家電（diàn）、日用包裝、工藝裝修等工業領域。但塑料資料大多存在外表硬（yìng）度不高、外觀（guān）不行華麗、耐（nài）磨性低等缺點，如在塑料外表蒸鍍一層極薄的金屬薄（báo）膜，即可賦予塑料程亮的金屬外觀，合適（shì）的金屬源還可大大增加資料外表耐磨性（xìng）能，大大拓寬了塑料的裝修性和使用範圍。

真（zhēn）空鍍膜的功用是多方麵的，這也決議了其使用場合（hé）非常豐富。整體來說，真（zhēn）空鍍膜的主要功用包含賦予被鍍件外表高度金屬光（guāng）澤和鏡麵效果（guǒ），在薄膜資料（liào）上使膜層具有超卓的隔絕性能，提供優（yōu）異的電磁屏蔽和導（dǎo）電效果。