武漢MSB中頻磁控濺射真空鍍膜電源

主要型號：

主要特點：

   A 采用先（xiān）進的電流型（xíng）開關電源技術（shù），減（jiǎn）小輸出儲（chǔ）能元件，
同時提高了抑製打火（huǒ）及重啟速度（dù），應（yīng）用在鋁靶鍍膜優勢（shì）更為明顯。
   B 具備恒流/恒功率模式可選。恒功率模式相對於傳統的恒流模式，
更能保證鍍膜工藝的重複性。
   C 具有理想的電壓陡降特性，自動（dòng）識別偽打火現象，
充分滿足磁（cí）控濺射工藝過程的連（lián）續性（xìng）。
   D 主要參數可大範圍調節
   E 可選擇手動控製/模擬量接口控製，可選配RS485通訊接口。
采用先進的PWM脈寬調製技術，使用進口IGBT或MOSFET作為功率（lǜ）開關（guān）器件（jiàn），
體積（jī）小、重量輕、功能全、性能（néng）穩定可靠，生產工藝嚴格完善。
該係列產品采用先進的DSP控製係統，充分保證鍍膜工藝的重複性，
並（bìng）且具有抑製靶材弧（hú）光放電及抗短路功（gōng）能，
具有極佳的負載（zǎi）匹配（pèi）能力，既保（bǎo）證了（le）靶（bǎ）麵清洗工藝（yì）的穩定性，又提高了靶麵清洗速（sù）度；
主要參數均可大（dà）範（fàn）圍連續（xù）調（diào）節；
方便維護，可靠性高；
PLC接口和RS485接口擴展功能（néng），方便實現自動化控製。

MSB係列雙（shuāng）極（jí）脈衝磁（cí）控濺射電源（中頻電源）

主要用途：

雙極脈（mò）衝磁控濺射電源用於中頻孿生靶磁控濺金屬或非（fēi）金（jīn）屬材（cái）料，特別適合於反應磁控濺射。能增加離化率，減少電荷積累引起的（de）異常放電，預防靶表麵（miàn）中毒現象。

在真空鍍膜電源時，使用直流負偏壓電源，其中運（yùn）用（yòng）直流電源，這個電源的電（diàn）子（zǐ）方向一直統一，會導（dǎo）致（zhì）單一品（pǐn）種電荷堆積過高與控（kòng）製源中和。也就是說用來提供動（dòng）力的正負極被（bèi）中和了。然後磁（cí）控濺射將不再持續。所以選用脈衝電（diàn）源。

在真空中製備膜層，包含鍍製晶態的金屬、半（bàn）導體、絕緣體等單質或化（huà）合物膜。雖然化（huà）學汽相（xiàng）堆積（jī）也（yě）選用減壓、低壓或等離子體等真空手法，但一般真空鍍膜（mó）是指用物理的辦（bàn）法堆積薄膜。真空（kōng）鍍膜有三種方式，即蒸發鍍膜、濺射鍍膜和離子鍍。

真空鍍膜技（jì）能初現於20世紀30年代（dài），四五十年代開（kāi）端呈現工業使用，工業化大規（guī）模出（chū）產開端於20世紀80年代，在電子、宇（yǔ）航、包裝、裝潢、燙金印刷等工業中獲得廣泛的使用。真空鍍膜（mó）是指（zhǐ）在真空（kōng）環（huán）境下，將（jiāng）某種金屬或金屬化合物以氣相的方式堆積到（dào）資料外表（通（tōng）常是非金屬資（zī）料），歸於物理氣相堆積（jī）工藝。由於鍍層常為金屬（shǔ）薄膜（mó），故也（yě）稱（chēng）真空金（jīn）屬化。廣義的真空鍍膜還包（bāo）含在金屬或非金屬資料（liào）外表真空蒸（zhēng）鍍聚合物等非金屬功用性薄膜。在所有（yǒu）被鍍資猜中，以塑料樶（zuī）為（wéi）常見，其次，為紙張鍍膜。相對於金（jīn）屬、陶瓷、木材等資料，塑料具有來曆充足、性能易於調控、加工方便等（děng）優勢，因此品種（zhǒng）繁多的塑料或其他高分子資料（liào）作為工程裝修性（xìng）結構資料，大（dà）量使用於轎車、家電（diàn）、日用包裝、工藝裝修等工業領域。但塑料資料大多存（cún）在外（wài）表硬度不高、外觀不行華麗、耐磨性低等缺點，如在塑料外表蒸（zhēng）鍍一層極薄的金屬薄膜，即可賦予塑（sù）料程亮的（de）金屬外（wài）觀，合適的金屬源還可大大增加資料外表耐磨性能，大大拓寬了塑料的裝修性和使用範圍。

真空鍍膜的功用是多方麵的（de），這也決議了其使用場合非常豐富。整體來說，真空鍍膜的主要功用包含賦予被鍍件外表高（gāo）度金屬光澤和鏡麵效果，在薄（báo）膜資料上使（shǐ）膜層具有超卓的隔絕性能，提供優異的電磁屏蔽和導電效果（guǒ）。