江蘇MSB中頻磁（cí）控濺射真空鍍膜電源

主要型號：

主要特點（diǎn）：

   A 采用先進（jìn）的電流型開關電源技術，減小（xiǎo）輸出儲能元件，
同時提高了（le）抑製打火及重啟速度，應用在鋁靶鍍膜優勢更為明顯。
   B 具備恒流/恒功（gōng）率模式可選（xuǎn）。恒功（gōng）率模（mó）式相對於（yú）傳統的（de）恒流模式，
更能保證鍍膜工藝的重複性。
   C 具有理想的電壓陡降（jiàng）特性，自動識別偽打火現象，
充分滿足磁控濺射工藝過程的連續性。
   D 主要參數可大（dà）範圍調節
   E 可（kě）選擇手動控製/模（mó）擬量（liàng）接口控製，可選配RS485通訊接口。
采用先進的PWM脈寬調製技術，使用進（jìn）口IGBT或（huò）MOSFET作為功率開關器件，
體積小、重量輕、功能全、性能穩定可靠，生產工（gōng）藝嚴格完（wán）善（shàn）。
該係列產（chǎn）品采用先進的DSP控製係統，充分保證（zhèng）鍍膜工（gōng）藝的重複性，
並且具有抑製靶材弧光放電及抗短路功能，
具有極佳（jiā）的（de）負載匹配能力，既（jì）保證（zhèng）了靶麵清洗工藝的穩定性，又提（tí）高了靶麵清（qīng）洗速度（dù）；
主要參數均可大範圍連續調節；
方便維護，可靠性高；
PLC接口和RS485接口擴展（zhǎn）功能，方便實現自動化控（kòng）製。

MSB係列雙極脈（mò）衝磁控濺射電源（中頻電源）

主要用途：

雙極（jí）脈（mò）衝磁控濺射電源用於中頻（pín）孿（luán）生靶磁控（kòng）濺金屬或非金屬（shǔ）材料，特別適合於反應磁控濺射。能增加離化率，減少（shǎo）電荷積累引起的異（yì）常（cháng）放電，預防（fáng）靶表麵中毒現象（xiàng）。

在真空鍍膜電源時，使用直流負（fù）偏壓電源，其中運用直流（liú）電源，這個電源的電（diàn）子（zǐ）方向一直統一，會導致單一品種（zhǒng）電荷堆（duī）積過高與控製源中（zhōng）和。也就是說（shuō）用（yòng）來提供動力的正負極被中和了。然後磁控濺射將不再持續。所以選用脈衝電源。

在真空中製備（bèi）膜層，包含鍍製晶態的金屬、半導體、絕緣體等單質或化合物膜。雖然化學（xué）汽相堆積也（yě）選用減（jiǎn）壓、低壓或等離子體等真空手法（fǎ），但（dàn）一般真空鍍膜是（shì）指用物理的辦法堆（duī）積薄膜。真空鍍膜有三種方式，即蒸發（fā）鍍膜、濺射鍍膜和離子鍍。

真空鍍膜技能初現於20世紀30年（nián）代，四五十年（nián）代開端呈現工業使用，工（gōng）業化大規模出產（chǎn）開端於20世紀80年代，在電子、宇航、包裝、裝潢、燙金印刷等工業中獲得廣泛的使用。真（zhēn）空鍍膜是指在真空環境下，將（jiāng）某種金屬或金屬化合物以氣相（xiàng）的方（fāng）式堆積到資料（liào）外表（通常是非金屬資料），歸於物理氣（qì）相堆積工藝。由於鍍層（céng）常為金屬薄膜，故也稱真空金屬化。廣義的真空鍍膜還包含在金屬或非金屬資（zī）料外表真空蒸鍍聚合物等非金（jīn）屬功用性薄（báo）膜。在所有被鍍資猜中，以塑料樶為常（cháng）見，其次，為紙張鍍膜（mó）。相對於金屬、陶（táo）瓷（cí）、木材（cái）等（děng）資料，塑料（liào）具有來曆充足、性能易於調控、加工（gōng）方便等優勢，因此品種繁多的塑料或其他高分子資料作為工程裝（zhuāng）修性結構資料，大量使用於轎車、家電、日用包裝（zhuāng）、工藝裝修等工業領域。但塑料資料大多存在外表硬度不高、外觀不行華麗、耐磨性低等缺點，如在塑料（liào）外表蒸鍍一層極薄的金屬薄膜，即可賦予塑料程亮的金屬外觀，合適的金屬源還可大（dà）大增加資料外表耐磨性能，大大拓（tuò）寬了塑料的（de）裝修性和使（shǐ）用範圍。

真空鍍膜的功用是多方麵的，這也決議了（le）其使用場（chǎng）合（hé）非常豐（fēng）富。整體來說，真空鍍膜的主要功用包含賦予被鍍件外表高度金屬光澤和（hé）鏡麵效果，在（zài）薄膜資料上使膜層具有超（chāo）卓（zhuó）的隔絕性能，提供優異的（de）電磁屏蔽和導電效果。