主要型號(hào):
型號 | 功率(kW) | 工作電(diàn)壓(V) | 最 大工作電流(A) | 主機外形(xíng)尺寸 | 升壓轉(zhuǎn)換器外形尺寸 | 冷卻 方式 |
HVB-5kV1A | 5 | 5kV | 1A | 480*243*565 (WHD) | 220*230*400 (WHD) | 風冷 |
HVB-5kV2A | 10 | 5kV | 2A | |||
HVB-5kV4A | 20 | 5kV | 4A |
主要特點:
A 采用先進(jìn)的(de)電流型開關電源技術,減小輸出儲能元件,
同時提高了抑製打火及重啟速度。
B 具備恒流(liú)/恒功率模式可選(xuǎn)。
C 具有理想的電壓陡降特性,自動識別偽打火現象,
充分滿足轟擊清洗過程的連續(xù)性。
D 主要參數可大範圍調節。
E 可選擇手動控製/模(mó)擬量接口控製(zhì),可選配RS485通訊接口。
采用先進的PWM脈寬調製技(jì)術,使用進口IGBT或MOSFET作為功率開關器件,
體積小、重量輕、功能全、性能穩定可靠,生產工(gōng)藝(yì)嚴格完善。
該係列產品采用先進的DSP控製係統(tǒng),充分保證鍍膜工藝的(de)重複性,
並且(qiě)具有抑製靶材弧(hú)光放電及抗短(duǎn)路功能,
具有極佳的負載(zǎi)匹配能力,既保證了靶(bǎ)麵清洗(xǐ)工(gōng)藝(yì)的穩定性,又提高了靶麵清洗速度;
主要參數(shù)均可大範圍連續調節;
方便維(wéi)護,可靠性高;
PLC接口和RS485接口(kǒu)擴展功能(néng),方便實現自(zì)動化控製。
主要用途:
MSB高(gāo)壓雙極清洗電源適用於工件鍍膜前的高壓轟擊清洗和鍍矽油保護膜。
在高技術產業化的發展中展(zhǎn)現出(chū)誘人的市場前景。這種的真空鍍膜技術已在國民經(jīng)濟各(gè)個領域得到應用。真空(kōng)鍍膜技術是真空應(yīng)用(yòng)技術的一個重要分支(zhī),它已廣泛地應 用(yòng)於光(guāng)學、電子學、能源(yuán)開發、理化儀器、建築機械(xiè)、包裝、民用製品(pǐn)、表麵科學以及科學研究(jiū)等領域中。真空鍍膜所采用的方法主要有蒸發鍍.濺射鍍、離子鍍(dù)、束流沉積鍍以及分子(zǐ)束外延等。這種真空鍍膜電源優勢會體現的比較(jiào)明顯。
選用了領先的PWM脈寬調製技術,具有傑出的動態特性和(hé)抗幹擾才能,動態呼應時刻小於10mS。規(guī)劃有電壓、電(diàn)流雙閉環操控電路,可實時對輸出電壓(yā)電流的操控,能有(yǒu)用處(chù)理濺射過程中陰極靶麵的不清潔導致弧光放電造成大電(diàn)流衝擊導(dǎo)致電源的損壞疑問。選(xuǎn)用數字化DSP操控技術,主(zhǔ)動操控電(diàn)源(yuán)的恒壓恒流狀況。在起弧和維弧時能主動疾速操控電壓電流使起弧和維弧作業更安穩。
真空室裏的堆(duī)積條件跟著時刻發作改動是(shì)常見(jiàn)的表象。在一輪運轉過中,蒸發(fā)源的特性會跟著膜材的耗費而改動,尤其是規劃中觸及多(duō)層鍍膜時,假如技術進程需繼續數個小時(shí),真空室的熱(rè)梯度也會上升。一起,當真空室(shì)內壁發作堆積變髒時,不一樣次序的工效逐步發生區別。這些要素雖然是漸進的並可以進行抵償,但仍然大(dà)概將(jiāng)其視為體(tǐ)係公役的一部分。
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