HVB高壓雙極清洗電（diàn）源

主要型號：

主要特點：

   A 采用先進的電流型開（kāi）關（guān）電（diàn）源技（jì）術，減小輸出儲能（néng）元件，
同（tóng）時提高了抑製打火及（jí）重啟速度。
   B 具備恒流/恒功率模式可選。
   C 具有理想的電壓陡降特性，自動識別偽打火（huǒ）現象，
充分滿足轟擊清（qīng）洗過程的連續性。
   D 主要參（cān）數可大範圍調節。
   E 可（kě）選擇手動控製/模擬量接（jiē）口（kǒu）控製，可選配（pèi）RS485通訊接口。
采用先進的（de）PWM脈寬調製技術，使用進口IGBT或MOSFET作（zuò）為功率開關器件，
體積小、重量輕、功能全、性能穩定可靠，生產工藝嚴格完善。
該係列（liè）產品采用先進的DSP控製係統，充分保證鍍膜工藝的重複性，
並且具（jù）有抑製靶材弧光放電及抗短路功能，
具有極佳的負載（zǎi）匹（pǐ）配（pèi）能力，既保證了靶麵清洗工藝（yì）的穩定性（xìng），又提高了靶麵清洗速度；
主要參（cān）數均可大範圍連續調節（jiē）；
方便維護，可靠性高；
PLC接口（kǒu）和RS485接口擴展功能，方便實現自動化控製。

主要用途：

MSB高壓雙極清洗電（diàn）源適（shì）用於工件鍍膜前的高壓轟擊清洗和鍍矽油保護膜。

在高技術產業化的發展中展現出誘人的市場前景。這種的真空鍍（dù）膜技術已在國民經濟各（gè）個領（lǐng）域得到應用。真空鍍膜技術是真空應用技術的一個重要分支，它已廣（guǎng）泛（fàn）地應 用於光學、電子學、能源開發、理（lǐ）化儀器、建築機械、包裝、民用（yòng）製品、表麵科學以及科學研究等領域中。真空鍍膜所采用的方法主要（yào）有蒸發鍍．濺（jiàn）射鍍（dù）、離子鍍、束流沉積鍍（dù）以及分子束外延（yán）等。這種真空鍍膜電源（yuán）優勢會體現的比較明顯。

選用了領先的PWM脈寬調製技術，具有傑（jié）出的動態特性和（hé）抗幹（gàn）擾才能，動態呼應時（shí）刻小於10mS。規劃有電壓、電流雙閉環操控電路，可實時對輸出電壓電流的操控，能有用處理（lǐ）濺射過程中陰極靶麵的不清（qīng）潔導致弧光放電造成大電流衝擊導致電源（yuán）的損壞疑問。選用數字化DSP操控技術，主動操（cāo）控電源（yuán）的恒壓恒流狀況。在起弧和維弧時能主動疾速操控電壓（yā）電流使起弧和維弧作業更安穩。

真空室（shì）裏的堆積條件跟著時刻發作改動是（shì）常見的表象。在一輪運轉過中，蒸（zhēng）發源的特（tè）性（xìng）會跟著膜材的耗費而改動（dòng），尤（yóu）其是規劃中觸及多層鍍膜時，假如技術進程（chéng）需繼（jì）續數個小時，真空室的熱梯度也會上升。一起，當真空室內壁發作堆積變髒時，不一（yī）樣次序的工效逐步發生區別。這些（xiē）要素雖然是漸進的並可以進行抵償（cháng），但仍然大概將其視為體係（xì）公（gōng）役的一部（bù）分。