武漢HVB高壓（yā）雙極清洗電源

主要型（xíng）號：

主要特（tè）點：

   A 采用（yòng）先進的電流型開關電源技術，減小輸出儲能元件，
同時提高了抑製打火及重啟速度。
   B 具備恒流/恒功率模式可選。
   C 具有理想的電壓陡降特性，自動識（shí）別偽打火現象，
充（chōng）分滿足轟擊清洗過（guò）程的連續（xù）性。
   D 主要參數可大範圍調（diào）節。
   E 可選擇手動控製/模擬量接口控製，可選配RS485通訊接口。
采（cǎi）用先進的PWM脈寬調製技術（shù），使用進口IGBT或MOSFET作為（wéi）功率開關器（qì）件，
體積小、重量輕、功能（néng）全、性能穩定可靠，生（shēng）產（chǎn）工藝嚴格完善。
該係列產（chǎn）品采用先進的DSP控製係統，充分保證鍍膜工藝的重複性，
並且具（jù）有抑製靶材弧光放電及抗短路功能，
具有極佳的負（fù）載匹配能力，既（jì）保證了靶麵清（qīng）洗工藝的穩定性，又提高了靶（bǎ）麵清（qīng）洗速度；
主要（yào）參數均可大範圍連續調節；
方便維（wéi）護，可靠性高；
PLC接口和RS485接（jiē）口擴展功能，方便實現自動（dòng）化控製。

主要用途：

MSB高壓雙（shuāng）極（jí）清洗電源適用於工件鍍（dù）膜前的高壓轟（hōng）擊清洗和鍍矽油保護膜。

在高技術產業化的發展中展現出誘人的（de）市場前景（jǐng）。這種的（de）真空鍍膜技術已在國民經濟各個領域得（dé）到應用。真空鍍膜技術是（shì）真空應用技術的一個重要分支，它已廣泛地應 用（yòng）於光學、電子學（xué）、能源開發（fā）、理化（huà）儀器、建築機械、包裝、民用（yòng）製品（pǐn）、表麵科學以及科學研究等領域中。真（zhēn）空鍍膜所采（cǎi）用（yòng）的方法主要有蒸發鍍．濺射鍍、離子鍍、束流沉積鍍以及（jí）分（fèn）子束外延（yán）等。這種真空鍍膜電源優勢會體（tǐ）現的（de）比（bǐ）較明（míng）顯。

選用了領先的（de）PWM脈寬調（diào）製技術（shù），具有傑出的動態特性和抗幹擾才（cái）能，動態呼應時刻小於10mS。規劃有電壓、電流雙閉環操控電路，可實時對（duì）輸出電壓電流的操（cāo）控，能有用處理濺射過程中陰極靶麵的不清潔導致（zhì）弧光放（fàng）電（diàn）造成大電流衝擊導（dǎo）致電源的損壞疑問。選用數字化DSP操控技術，主動操控電源的恒壓恒流狀況。在起（qǐ）弧和維弧時能主（zhǔ）動疾速操控電壓（yā）電流（liú）使起弧和維弧作業更安穩。

真空室裏的堆積條件跟著時刻發（fā）作改（gǎi）動是常見的表象。在（zài）一輪運轉過中，蒸發源的特（tè）性會跟著膜材的耗（hào）費而改動，尤（yóu）其是規劃中觸及多（duō）層（céng）鍍膜時，假如（rú）技術進程需繼續數（shù）個小時，真空室的熱梯度也會上升。一起，當真（zhēn）空（kōng）室（shì）內壁發作堆積變（biàn）髒時，不一樣次序的工效逐步發生區別。這些要素雖然是漸進的並可以進（jìn）行抵償，但仍然大概將（jiāng）其視為體係公役的一部（bù）分。