主要型號:
型號 | 功(gōng)率(kW) | 工作電壓(V) | 最 大工作電流(A) | 主機外形尺寸 | 升壓轉換(huàn)器外形尺寸 | 冷卻 方式(shì) |
HVB-5kV1A | 5 | 5kV | 1A | 480*243*565 (WHD) | 220*230*400 (WHD) | 風冷 |
HVB-5kV2A | 10 | 5kV | 2A | |||
HVB-5kV4A | 20 | 5kV | 4A |
主要特點:
A 采用先進的電流型(xíng)開關電源技術,減小輸出儲能元件,
同時提高(gāo)了(le)抑製打火及(jí)重啟速度(dù)。
B 具備恒(héng)流/恒功率模式可選。
C 具有理想的電(diàn)壓陡降特性,自動識別偽打火現象,
充分滿足(zú)轟擊清洗過程的連續性(xìng)。
D 主要參數可大範圍調節(jiē)。
E 可選擇手動控製/模擬量(liàng)接口控製,可選配RS485通訊接口。
采用先進的PWM脈寬調製(zhì)技術,使用進口IGBT或MOSFET作為功率開關器件,
體積小、重量輕(qīng)、功(gōng)能全、性能(néng)穩定可靠,生產工藝嚴格完善。
該係(xì)列產品采(cǎi)用先進的DSP控製(zhì)係統,充分保證鍍膜工藝的重複性,
並且具有抑製(zhì)靶材弧光放電及抗短路功能,
具有極佳的負載匹配能力,既保證了靶麵清洗工藝的穩定性,又提高(gāo)了靶麵(miàn)清(qīng)洗速(sù)度(dù);
主要參數均可大範圍連續(xù)調節;
方便維護,可靠性高;
PLC接口和RS485接口擴展(zhǎn)功能,方便實現自動化控製(zhì)。
主要用途:
MSB高(gāo)壓雙極清洗電(diàn)源適用(yòng)於工件鍍膜前的高(gāo)壓轟擊清(qīng)洗和鍍矽油保護膜。
在高技術產業化的發展中展現出誘人的市場前景(jǐng)。這種的(de)真空(kōng)鍍膜技術已在國民經濟各個領域得到應用。真(zhēn)空鍍膜技術是真空應(yīng)用技術的(de)一個重要分(fèn)支,它已廣泛地應 用於光學、電子學、能源開(kāi)發、理化儀器、建築機械、包(bāo)裝、民用製品、表麵科學以及(jí)科學研究等領域中。真空鍍膜所采用的方法主要有蒸發鍍.濺射鍍、離(lí)子鍍、束流沉(chén)積鍍以及分子束外延(yán)等。這種真空鍍膜電源優勢會體現的比較明顯。

選用了領先的PWM脈(mò)寬調製技術,具有傑出的動(dòng)態特性和抗幹擾才(cái)能,動(dòng)態呼(hū)應時刻(kè)小於(yú)10mS。規劃有(yǒu)電壓、電流雙閉環操控電路,可實(shí)時對輸出電壓電流的操控,能有用處理濺射過程中陰極靶麵的不清潔導致弧光放電造成大電流(liú)衝擊導致電源的損壞疑問。選用數字(zì)化DSP操(cāo)控技術,主(zhǔ)動(dòng)操控電源的恒壓(yā)恒流狀況。在(zài)起弧和維(wéi)弧(hú)時能主動疾速(sù)操控電壓電流使起弧和維弧作業更安穩。
真空室裏(lǐ)的堆積條件跟著時刻發作改動是常見的表象。在一輪運轉過中,蒸發源的特(tè)性會跟著膜材的耗費而(ér)改動,尤其是規劃中觸及多層(céng)鍍膜時,假如技(jì)術進程需繼續數個小時,真空室的(de)熱梯(tī)度也會上升。一起,當真空室內(nèi)壁發(fā)作堆積變髒時,不一樣次序的工效(xiào)逐(zhú)步發生區別。這些要素雖然是漸進的並可以進行抵償,但仍然大概將其視為體係公役的一部分。